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口頭

Atomic structure determination of the graphene/sapphire interface by normal incident X-ay standing wave spectroscopy

圓谷 志郎; Sorokin, B. P.*; Avramov, P.; 大伴 真名歩; 松本 吉弘; 成田 あゆみ; 平尾 法恵; 下山 巖; 関口 哲弘; 楢本 洋*; et al.

no journal, , 

We have studied the vertical atomic structure of a single-layer graphene/a-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001) interface with element-sensitive normal incident X-ray standing wave spectroscopy. The vertical distance at the interface measures 0.26 nm. We consider that the small distance is caused by the strong interaction at the interface. An ab initio atomic and electronic structure calculation supports the existence of the strong interaction that originates from the electrostatic interaction between graphene $$pi$$-system and unsaturated electrons of surface oxygen layer rather than van der Waals interaction.

口頭

成膜中その場紫外光照射したC$$_{60}$$薄膜のポリマー化

境 誠司; 谷本 久典*; 松本 吉弘; 圓谷 志郎; 大伴 真名歩; 新井 大二朗

no journal, , 

C$$_{60}$$分子が共有結合したC$$_{60}$$ポリマーは特異な電子状態を持つことから、C$$_{60}$$ポリマー膜では通常のC$$_{60}$$膜とは異なる物性の発現が期待されている。C$$_{60}$$分子は光照射や高温高圧保持,電子線照射など種々の方法によってポリマー化することが知られており、中でも光照射法は作製コストやポリマー領域の制御といった点で有利である。しかしC$$_{60}$$膜への光の侵入長は数十nm程度であるため、成膜後に光照射した膜ではポリマー化は表面近傍のみであり、均質な膜とはならない。本研究では成膜中にその場紫外光照射することで膜厚約300nmのポリマー化C$$_{60}$$厚膜を作製し、XRD解析及びラマン散乱測定を行った。ポリマー化したC$$_{60}$$膜は最大4%程度格子が収縮しており、一般に光照射で生成するとされるC$$_{60}$$二量体よりも重合度の高い六量体程度のポリマーが生成していることが示唆された。

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